王刚

简介


男,生于1980年2月,2001年和2004年分别于兰州大学获得学士和硕士学位,2007年于中国科学院物理研究所获得博士学位,2007年8月-2008年12月在瑞典和美国做博士后,2009年1月加入中国科学院物理研究所,2016年7月-2017年7月在美国埃姆斯实验室访问,现任中国科学院物理研究所研究员、博士生导师。国家优秀青年科学基金获得者,荣获卢嘉锡青年人才奖和中国硅酸盐学会青年科技奖等奖项。

主要研究方向


无机电磁功能材料探索、晶体生长与物性研究

过去的主要工作及获得的成果


发现AxFe2Se2(A = K, Li, Na, Ca, Sr, Ba, Eu, Yb)超导家族,被Nature Materials纪念超导发现一百周年社论列为超导领域的主要进展之一;首次获得具有本征室温铁磁性的碳化硅材料,揭示双空位产生磁性的物理机制,开辟了半导体磁性调控的新手段;首次将碳化硅用作中红外非线性光学晶体,分别基于4H碳化硅晶体的差频和光参量放大获得了中红外激光输出,高的激光损伤阈值使碳化硅有望作为新非线性光学材料用于大功率中红外激光的输出。已在PRL、JACS、AM等发表SCI论文70篇,被引用2300多次;授权PCT国际专利3项,国家发明专利10余项。

代表性论文及专利


1. Lack of superconductivity in the phase diagram of single-crystalline Eu(Fe1−xCox)2As2 grown by transition metal arsenide fluxG. Wang,* W.R. Meier, W.E. Straszheim, J. Slagle, S.L. Bud’ko, P.C. CanfieldPhys. Rev. Mater. 2, 104801 (2018). 

2. A wide-range photosensitive Weyl semimetal single crystal-TaAsS.M. Chi, Z.L. Li, Y. Xie, Y.G. Zhao, Z.Y. Wang, L. Li, H.H. Yu,* G. Wang,* H.M. Weng,* H.J. Zhang,* J.Y. WangAdv. Mater. 30, 1801372 (2018). 

3. Silicon carbide: A wide-bandgap semiconductor and beyond in Humble beginnings, bright future: Institute of Physics (CAS) at 90G. Wang, W.J. Wang, T.H. Peng, L.W. Guo, X.L. Chen*Science 360, 51-54 (2018). 

4. Understanding doping, vacancy, lattice Stability, and superconductivity in KxFe2−ySe2
Y. Liu, G. Wang,* T.P. Ying, X.F. Lai, S.F. Jin, N. Liu, J.P. Hu, X.L. Chen*
Adv. Sci. 3, 1600098, (2016).

5. Formation and stability of low-dimensional structures for group VIIIB and IB transition metals: The role of sd4 hybridization
J.H. Yang, Q.J. Zhang, L. Chen,* G. Wang,* X.L. Chen*
Adv. Sci. 3, 1500314, (2016).

6. Tunable cobalt vacancies and related properties in LaCoxAs2
S.J. Shen, G. Wang,* S.F. Jin, Q.Z. Huang, T.P. Ying, D.D. Li, X.F. Lai, T.T. Zhou, H. Zhang, Z.P. Lin, X.Z. Wu, X.L. Chen*
Chem. Mater. 26, 6221-6225 (2014).

7. Superconducting phases in potassium-intercalated iron selenides
T.P. Ying, X.L. Chen,* G. Wang,* S.F. Jin, X.F. Lai, T.T. Zhou, H. Zhang, S.J. Shen, W.Y. Wang
J. Am. Chem. Soc. 135, 2951-2954 (2013).

8. 4H-SiC: A new nonlinear material for midinfrared lasers
S.C. Wang, M.J. Zhan, G. Wang,* H.W. Xuan, W. Zhang, C.J. Liu, C.H. Xu, Y. Liu, Z.Y. Wei, X.L. Chen*
Laser Photonics Rev. 7, 831-838 (2013).

9. Structural and electronic properties of T graphene: A two-dimensional carbon allotrope with tetrarings
Y. Liu, G. Wang,* Q.S. Huang, L.W. Guo, X.L. Chen*
Phys. Rev. Lett. 108, 225505 (2012).

10. Observation of superconductivity at 30~46 K in AxFe2Se2 (A=Li, Na, Ba, Sr, Ca, Yb, and Eu)
T.P. Ying, X.L. Chen,* G. Wang,* S.F. Jin, T.T. Zhou, X.F. Lai, H. Zhang, W.Y. Wang
Sci. Rep. 2, 426 (2012).

11. Defect-induced magnetism in neutron irradiated 6H-SiC single crystals
Y. Liu, G. Wang,* S.C. Wang, J.H. Yang, L. Chen, X.B. Qin, B. Song, B.Y. Wang, X.L. Chen*
Phys. Rev. Lett. 106, 087205 (2011).

12. Superconductivity in the iron selenide KxFe2Se2 (0 ≤ x ≤ 1.0)
J.G. Guo, S.F. Jin, G. Wang, S.C. Wang, K.X. Zhu, T.T. Zhou, M. He, X.L. Chen
Phys. Rev. B 82, 180520(R) (2010).

*Corresponding author


国际专利1
Nonlinear optical device manufactured with 4H silicon carbide crystal
X.L. Chen, S.C. Wang, T.H. Peng, G. Wang, C.J. Liu, W.J. Wang, S.F. Jin
JP5898341, US9500931 B2


国际专利2
Process for growing silicon carbide single crystal by physical vapor transport method and silicon carbide single crystal annealing in situ
X.L. Chen, B. Wang, L.Y. Li, T.H. Peng, C.J. Liu, W.J. Wang, G. Wang
JP5450895, US9340898 B2


国际专利
Semi-insulating silicon carbide single crystal and growthing method therefor
X.L. Chen, C.J. Liu, T.H. Peng, L.Y. Li, B. Wang, G. Wang, W.J. Wang, Y. Liu
JP5657109

目前的研究课题及展望


1. 过渡金属基新层状电磁功能材料探索、晶体生长与物性(国家重点研发计划项目、国家自然科学基金面上项目)
2. 三维高迁移率半导体材料探索、晶体生长与物性(国家自然科学基金重点项目)
3.  拓扑半金属晶体生长与光电效应

培养研究生情况


目前在读研究生2名。曾协助培养博士生5名,其中2人次获得中科院优秀博士学位论文,1人次获得国际衍射数据中心(ICDD)Ludo Frevel晶体学奖学金。

其他联系方式


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