王刚

简介:

男,生于1980年2月,2001年和2004年于兰州大学分别获得学士和硕士学位,2007年于中国科学院物理研究所获得博士学位,2007年-2009年在瑞典和美国做博士后,现任中国科学院物理研究所研究员、博士生导师。国家优秀青年科学基金获得者,荣获卢嘉锡青年人才奖和中国硅酸盐学会青年科技奖等奖项。

主要研究方向:

无机功能晶体材料(超导体和宽禁带半导体等)的探索、结构、物性与晶体生长研究

过去的主要工作及获得的成果:

在新超导体探索、碳化硅晶体生长与物性研究方面取得了多项创新性成果:发现AxFe2Se2超导家族,被Nature Materials纪念超导发现一百周年社论列为超导领域的主要进展之一;首次给出碳-硅双空位诱导铁磁性的直接实验证据,揭示双空位产生磁性的物理机制,拓展了调控半导体磁性的手段;首次分别基于4H碳化硅晶体的差频和光参量放大获得了中红外激光输出,高的激光损伤阈值使碳化硅有望成为输出大功率中红外激光的新型非线性光学材料。已在PRL、JACS等发表SCI论文58篇,SCI他引1020次;授权国家发明专利5项,授权国际专利2项;国家优秀青年科学基金获得者,荣获中国科学院杰出科技成就奖、卢嘉锡青年人才奖和中国硅酸盐学会青年科技奖等。

代表性论文及专利:

1. Tunable cobalt vacancies and related properties in LaCoxAs2
S.J. Shen, G. Wang,* S.F. Jin, Q.Z. Huang, T.P. Ying, D.D. Li, X.F. Lai, T.T. Zhou, H. Zhang, Z.P. Lin, X.Z. Wu, X.L. Chen*
Chem. Mater. 26, 6221-6225 (2014).

2. 4H-SiC: A new nonlinear material for midinfrared lasers
S.C. Wang, M.J. Zhan, G. Wang,* H.W. Xuan, W. Zhang, C.J. Liu, C.H. Xu, Y. Liu, Z.Y. Wei, X.L. Chen*
Laser Photonics Rev. 7, 831-838 (2013).

3. Superconducting phases in potassium-intercalated iron selenides
T.P. Ying, X.L. Chen,* G. Wang,* S.F. Jin, X.F. Lai, T.T. Zhou, H. Zhang, S.J. Shen, W.Y. Wang
J. Am. Chem. Soc. 135, 2951-2954 (2013).

4. Structural and electronic properties of T graphene: A two-dimensional carbon allotrope with tetrarings
Y. Liu, G. Wang,* Q.S. Huang, L.W. Guo, X.L. Chen*
Phys. Rev. Lett. 108, 225505 (2012).

5. Observation of superconductivity at 30~46 K in AxFe2Se2 (A=Li, Na, Ba, Sr, Ca, Yb, and Eu)
T.P. Ying, X.L. Chen,* G. Wang,* S.F. Jin, T.T. Zhou, X.F. Lai, H. Zhang, W.Y. Wang
Sci. Rep. 2, 426 (2012).

6. Defect-induced magnetism in neutron irradiated 6H-SiC single crystals
Y. Liu, G. Wang,* S.C. Wang, J.H. Yang, L. Chen, X.B. Qin, B. Song, B.Y. Wang, X.L. Chen*
Phys. Rev. Lett. 106, 087205 (2011).

7. Single-crystal growth: From new borates to industrial semiconductors
G. Wang, X.L. Chen*
Phys. Status Solidi A 207, 2757-2768 (2010) (Feature Article).

8. Superconductivity in the iron selenide KxFe2Se2 (0≤x≤1.0)
J.G. Guo, S.F. Jin, G. Wang, S.C. Wang, K.X. Zhu, T.T. Zhou, M. He, X.L. Chen
Phys. Rev. B 82, 180520(R) (2010).

*Corresponding author

国际专利1. Process for growing silicon carbide single crystal by physical vapor transport method and silicon carbide single crystal annealing in situ
X.L. Chen, B. Wang, L.Y. Li, T.H. Peng, C.J. Liu, W.J. Wang, G. Wang
JP5450895

国际专利2. Semi-insulating silicon carbide single crystal and growthing method therefor
X.L. Chen, C.J. Liu, T.H. Peng, L.Y. Li, B. Wang, G. Wang, W.J. Wang, Y. Liu
JP5657109

目前的研究课题及展望:

1. 过渡金属新层状功能晶体材料探索、物性与晶体生长(国家自然科学基金优秀青年基金、重大研究计划集成项目)
2. 碳化硅晶体新效应研究(国家自然科学基金面上项目)

培养研究生情况:

协助培养博士毕业生2名,其中1人获得中国科学院优秀博士学位论文和国际衍射数据中心(ICDD)Ludo Frevel晶体学奖学金。

其他联系方式:

gangwang@iphy.ac.cn

电话:

010-82649182

Email:

gangwang@iphy.ac.cn