王晶

简介:

男,1974年3月生,1996年毕业于中国科学技术大学近代物理系,同年进入中国科学院物理研究所磁学实验室攻读博士(硕博连读)。2001年6月获凝聚态物理专业理学博士学位。2001年到2003年赴德国马普微结构物理研究所(Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik)做博士后,利用磁圆二色光电子发射显微镜(XMCD-PEEM)等手段进行磁性金属低维系统自旋结构的表征研究。2003年到2008年在香港大学物理系从事金属、半导体薄膜表面原子、电子结构的理论和实验研究。2008年入选中科院物理所百人计划,加入磁学国家重点实验室工作。现为中科院物理研究所副研究员,博士导师。

主要研究方向:

主要研究领域为复杂氧化物薄膜的量子序调控及其伴随的磁、电、热效应。主要研究兴趣包括:层间耦合、界面效应以及应力应变等对强关联电子体系中自旋、电荷、轨道等多种量子序的调控;磁性金属/氧化物及其薄膜/异质结中的磁耦合作用、磁输运特性以及磁热效应等。伴随各类有序-无序相变的热效应以及温度、磁、电及压力等外场对有序-无序相变的扰动与磁热、压热以及耦合热效应之间的关联。

过去的主要工作及获得的成果:

1) 首次在以FeMn为中间釘扎层的金属多层膜结构中发现了周期性排列的锯齿状磁畴,揭示了近邻铁磁-反铁磁耦合对磁有序转变厚度乃至磁结构的调制作用。2) 建立了一种新型的低能电子能谱从头计算方法,将过去一般无法进行的金属-半导体薄膜表面再构晶体表面纳入了精确理论计算的范围。3) 发现了(001) 取向的La7/8Sr1/8MnO3薄膜中由于大的张应力诱发产生的电荷轨道有序,并且该电荷轨道有序态对晶格应变的响应灵敏度远大于无序态。4) 利用应力干预的方法,通过引入残余应力使晶格软化在MnCoGe基系列材料中实现了宽温区内的巨大晶格负热膨胀,超过已报导最高的Bi0.95La0.05NiO3 50%,达到补偿工程塑料热膨胀的要求,为负热膨胀材料的研究拓展了新空间。5) 通过引入外加电场诱导的各向异性应变场,在相分离Pr(Ca,Sr)MnO3/PMN-PT薄膜中首次观察到了方向依赖的反常负热滞后和超大正电致电阻行为,首次给出了反常渗流输运和相分离各相不均匀分布存在密切关联的强有力证据。进一步地,通过引入面内各向异性应变场,在宽能带Pr0.7Sr0.3MnO3 薄膜中观察到了面内各向异性且对自旋序有强烈依赖性的非易失磁性调控,揭示了亚稳磁状态在压电应变传导的磁电耦合记忆效应中的重要地位。 2008年回国至今,已在J. Am. Chem. Soc.、 Nature Mater.、Nature Comm..、Sci. rep.、Appl. Phys. Lett.和Phys. Rev. B/Phys. Rev.Lett.SCI收录期刊发表文章60多篇。

目前的研究课题及展望:

目前承担科技部国家重点研发计划专项子课题一项,基金委面上基金两项,科学院前沿科学研究项目一项,科学院重点部署项目一项。将重点开展复杂氧化物等强关联体系低维结构中对称性破缺、维度降低和空间受限条件下,电荷、自旋、轨道等多种自由度有序态的变化;研究在外场诱导下多种量子有序态的形成和演变规律。

培养研究生情况:

已协助培养4名博士生,拟每年招收1~2名硕博连读生。欢迎具有物理、化学和材料等专业背景的考生报考!

电话:

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