韩秀峰

简介:

男,1984年在兰州大学获学士学位,1993年在吉林大学获博士学位。现任中科院物理所研究员、博士生导师、课题组长。1998-2002年在日本东北大学、美国新奥尔良大学和爱尔兰圣三一学院等处从事自旋电子学研究。2000年入选中科院“百人计划”;2003年获国家杰出青年基金资助;2007年获基金委创新研究群体基金资助;2007年入选“新世纪百千万人才工程国家级人选”。

主要研究方向:

自旋电子学材料、物理和器件原理研究

过去的主要工作及获得的成果:

主持和完成过国家基金委的重点和创新群体基金以及科技部973项目和重大国际合作研究项目等。制备出10余种新型或新结构磁性隧道结;制备出20余种铁磁性或复合结构纳米线及纳米管;发现自旋相关的库仑阻塞磁电阻(CBMR)效应;发展出一种利用纳米尺度的自旋电子学器件有效观测自旋翻转长度可达微米量级的新方法;理论预测并试验观测到自旋相关的量子阱态共振隧穿磁电阻(QW-TMR)效应;制备出新型Pt/YIG/Pt垂直自旋阀并观测到磁激子辅助的电流拖拽效应;研制出一种新型纳米环磁随机存取存储器(Nanoring MRAM)原型器件(获2013年度北京市科学技术一等奖)、一种新型的数据非易失性和可编程自旋逻辑器件结构及其原理、一种高灵敏度和低噪声TMR磁敏传感器中试型可应用器件等。发表SCI学术论文290余篇;获发明专利授权70余项;有国际会议邀请报告70余次;主编《自旋电子学导论》、并参与撰写《Handbook of Spintronics》等4部专著;现任国际磁学杂志J. Magn. Magn. Mater.的副主编、SPIN、《科学通报》和《物理》等杂志的编委。

代表性论文及专利:

[1] Fabrication of high-magnetoresistance tunnel junctions using Co75Fe25 ferromagnetic electrodes,
      X. F. Han and T. Miyazaki et al., Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 283.

[2] Analyses of intrinsic magnetoelectric properties in spin-valve-type tunnel junctions with high MR and low resistance,
      X. F. Han and T. Miyazaki et al., Phys. Rev. B 63 (2001) 224404.

[3] First-principles theory of quantum well resonance in double barrier Magnetic Tunnel Junctions, 
      Y. Wang, Z.Y. Lu, X. G. Zhang, and X. F. Han*, Phys. Rev. Lett. 97 (2006) 087210.

[4] Probing spin flip scattering in ballistic nanosystems, 
      Z. M. Zeng, X. G. Zhang, and X. F. Han* et al., Phys. Rev. Lett. 97 (2006) 106605.

[5] Effects of the current on the nanoscale ring-shaped magnetic tunnel junctions,
      H. X. Wei, X. F. Han*, and S. Zhang et al., Phys. Rev. B 77 (2008) 134432.

[6] Nanoring MTJ and its application in MRAM demo devices with spin-polarized current switching,
      X. F. Han, Z. C. Wen, and H. X. Wei, J. Appl. Phys. 103 (2008) 07E933 (Invited).

[7] Structural and magnetic properties of various ferromagnetic nanotubes,
      X. F. Han, S. Shamaila, R. Sharif et al., Advanced Materials 10 (2009) 1002.

[8] Giant Coulomb blockade magnetoresistance in magnetic tunnel junctions with a granular layer,
      X.-G. Zhang, Z. C. Wen, H. X. Wei, and X. F. Han, Phys. Rev. B 81 (2010) 155122.

[9] Long range phase coherence in double barrier MTJs with large thick metallic quantum well,
      B. S. Tao, H. X. Yang, X. F. Han*, Y. Lu* et al., Phys. Rev. Lett. 115 (2015) 157204.

[10] Observation of magnon-mediated electric current drag at room temperature,
        H. Wu, C. H. Wan, X. F. Han*, and S. Zhang* et al., Phys. Rev. B 93 (2016) 060403(R).

目前的研究课题及展望:

(1) 磁性隧道结及隧穿磁电阻(TMR)材料、物理和器件原理研究;
(2) 磁纳米异质结构及其自旋霍尔效应、自旋Seebeck效应和反常Nernst效应等研究;
(3) 铁磁/多铁性/半导体/有机分子等复合磁性隧道结及自旋输运性质研究;
(4) 新型磁随机存储器(STT-MRAM, SOT-MRAM)、TMR磁敏传感器、磁逻辑/自旋逻辑、自旋纳米振荡器、自旋二极管、自旋晶体管和自旋场效应管等器件原理研究;
(5) 磁性纳米线和纳米管及其各种复合结构制备研究。

培养研究生情况:

已培养博士毕业研究生38名(含外国留学生7名);在读硕博连读研究生10名;培养出站博士后4名,在站博士后1名。2007和2008年两次获得“中国科学院优秀研究生指导教师”奖。

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