贾海强

简介:

贾海强:1991年 西安交通大学电子工程系半导体器件专业毕业,获得学士学位,1994年电子工业部第十三研究所微电子专业毕业,获得硕士学位。2001年 中国科学院物理研究所凝聚态物理专业毕业,获得博士学位。2001年至今中国科学院物理研究所工作, 从事化合物半导体材料与器件研究。在国外主要刊物上发表论文30多篇,申请专利10多项。现为中国科学院物理研究所研究员,在E03组工作。

主要研究方向:

1、GaAs基、GaN基发光二极管外延材料MOCVD生长技术研究。 2、新型LED器件工艺研究。

过去的主要工作及获得的成果:

我们研发了新的红光发光二极管结构及外延生长技术,解决了红光LED结构、物性测量、外延生长和器件结构等问题,得到了高质量的红光LED外延片。 我们根据富In量子点受应力调控的特点,设计了含InGaN应力调制层的有源区结构。通过控制插入的InGaN应力调制层的驰豫度,实现了对InGaN/GaN多量子阱的应力调制和控制,使之形成不同In组分的局域区域,成功研制出单芯片白光发光器件。

目前的研究课题及展望:

目前主要承担国家自然基金、863课题、产业化应用研究等课题。主要的研究方向包括: 1、GaAs基、GaN基发光二极管外延材料与器件工艺研究。 2、GaN基单芯片白光发光二极管机理研究。 3、GaAs基化合物材料的MOCVD生长技术研究。

培养研究生情况:

已协助培养多名博士生。拟每年招收2名硕博连读生,欢迎物理、微电子等专业的考生报考。

电话:

010-82649214

Email:

mbe2@iphy.ac.cn