郭丽伟
简介：
女，1962年3月生，分别于1984年和1987年在辽宁大学物理系获理学学士和理学硕士，于1996年在中国科学院物理研究所获理学博士。曾在香港科技大学和日本东北大学金属材料研究所进行访问研究。现任中国科学院物理研究所研究员、博士生导师。兼任半导体学报编委。
主要研究方向：
新一代光电功能材料的生长、结构和物性研究。
过去的主要工作及获得的成果：
（1） 采用分子束外延（MBE）技术制备SiGe基、GaAs基、InGaP基量子结构，并对其电、光等性能进行研究；
（2） 采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术外延GaN基光电器件结构材料，并研究其输运和光学特性；
（3） 采用物理气相输运（PVT）技术生长宽带隙半导体晶体材料（AlN和SiC），并研究其生长规律和机制；
（4）利用热分解SiC方法在SiC上外延生长石墨烯，开发出满足不同应用需求的石墨烯/SiC异质结，并发明了基于石墨烯和SiC的自供电紫外探测器和光电晶体管。
（5） 在国内外重要学术刊物上发表研究论文百余篇，获授权发明专利15项。
代表性论文及专利：
1. Rectified photocurrent in a planar ITO/graphene/ITO photodetector on SiC by local irradiation of ultraviolet light， Yang, Junwei; Guo, Liwei; Huang, Jiao; et al, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 50, 405102 (2017)
2. An Effective Approach for the Identification of Carrier Type and Local Inversion Doping in Graphene by Biased Atomic Force Microscopy, Jia, Yuping; Guo, Liwei; Li, Zhilin; et al, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2, 1500255 (2016)
3. Bipolar Carrier Transfer Channels in Epitaxial Graphene/SiC Core-Shell Heterojunction for Efficient Photocatalytic Hydrogen Evolution, Lu, Wei; Wang, Da; Guo, Liwei; et al, ADVANCED MATERIALS, 27, 7986 (2015)
4. Identification of dominant scattering mechanism in epitaxial graphene on SiC, Lin, Jingjing; Guo, Liwei; Jia, Yuping; et al, APPLIED PHYSICS LETTERS, 104, 183102 (2014)
5. Towards intrinsic magnetism of graphene sheets with irregular zigzag edges, Chen, Lianlian; Guo, Liwei; Li, Zhilin; et al, SCIENTIFIC REPORTS, 3, 2599 (2013)
6. Structural and Electronic Properties of T Graphene: A Two-Dimensional Carbon Allotrope with Tetrarings, Liu, Yu; Wang, Gang; Huang, Qingsong; et al, PHYSICAL REVIEW LETTERS, 108, 225505 (2012)
7. 一种光伏装置和一种产生光伏效应的方法，授权专利号：2015101646557，郭丽伟，陈小龙
8．一种光电二极管装置以及一种产生整流效应的方法，授权专利号：2015105986280，郭丽伟，陈小龙 等
目前的研究课题及展望：
目前正在参与北京市科委先导与优势材料项目的研究任务（SiC单晶液相生长技术研究）和承担国家基金委面上项目（在SiC衬底上原位生长石墨烯的PN结及其特性研究）任务。目前的研究方向：（1） 基于SiC上石墨烯探索新概念光电器件及其特性研究；(2） 宽带隙半导体AlN和SiC晶体材料的生长和相关物性研究。
培养研究生情况：
已指导博士毕业研究生12名。指导在读研究生5名。
电话：
010-82649453
Email：