郭丽伟

简介:

女,1962年3月生,分别于1984年和1987年在辽宁大学物理系获理学学士和理学硕士,于1996年在中国科学院物理研究所获理学博士。曾在香港科技大学和日本东北大学金属材料研究所进行访问研究。现任中国科学院物理研究所研究员、博士生导师。兼任半导体学报编委。

主要研究方向:

新一代光电功能材料的生长、结构和物性研究。

过去的主要工作及获得的成果:

(1) 采用分子束外延(MBE)技术制备SiGe基、GaAs基、InGaP基量子结构,并对其电、光等性能进行研究; (2) 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术外延GaN基材料和相关器件结构材料,研究其输运和光学特性; (3) 作为研究骨干和课题负责人先后承担了国家攀登计划、光子集成重大课题、973基础研究计划和科学院创新工程重要方向项目、特殊973项目子课题和国家自然科学基金等项目。 (4) 在国内外重要学术刊物上发表论文70余篇,授权发明专利6项。

目前的研究课题及展望:

目前正在承担中科院知识创新工程重要方向项目(关于石墨烯的制备、性能和器件研究)和碳化硅晶体生长、加工技术研究的合作项目。 目前的研究方向: (1) 石墨烯的制备、本征物理特性研究和相关器件应用的探索; (2) 宽带隙半导体GaN、AlN和SiC晶体材料的生长和相关物性研究。

培养研究生情况:

已协助指导毕业博士生6名。正协助指导硕博连读生2名。

电话:

010-82649453

Email:

lwguo@iphy.ac.cn