郑东宁

简介:

男,1962年11月生,1984年毕业于中国科学技术大学,获理学学士学位。1987年在该校获理学硕士学位。1994年在英国剑桥大学获博士学位。先后在中国科学院物理研究所、英国剑桥大学、DURHAM大学从事超导研究和教学。现在中科院物理所研究员、博士生导师、超导国家重点实验室副主任。

主要研究方向:

高温超导及其它氧化物功能薄膜的制备,生长机理,物理性质和器件方面的研究。 主要侧重以下几个方面: (1)氧化物薄膜生长的原位观测和生长机理及其物理性质研究; (2)超导及氧化物薄膜中人工纳米结构; (3)高温超导量子干涉器件(SQUID)的研究和应用; (4)基于超导Josepshon结和SQUID的量子比特研究。

过去的主要工作及获得的成果:

主要从事超导方面的实验研究。重要研究工作包括: 高温超导体的各向异性电阻和比热研究;影响高温超导体的不可逆线和临界电流的因素以及低温合金超导体中不可逆线的确定;Chevrel相超导体的临界电流和磁通钉扎;MgB2超导体中Al掺杂导致的结构调制及对超导电性的影响。 近期主要从事高温超导和其它氧化物功能材料薄膜和器件的研究。所领导的研究小组研制了国内首台高气压RHEED-PLD系统,为氧化物薄膜的生长和研究提供了原位监测的有力工具,利用该设备进行了大量薄膜生长机理和一些对基础和应用研究有重要意义的薄膜(如Si基衬底上的超导和其它氧化物薄膜、亚稳相超导薄膜、超导/铁电异质薄膜)的研究。进行了超导/铁电一直薄膜的研究,研制了具有高调制性能和较低损耗的铁电薄膜,并应用于可调微波器件的制备。制备了适合超导微波器件制备的性能优良的大面积双面YBCO和TlBaCaCuO超导薄膜。在高温超导量子干涉器件的研究和应用方面,与同事一起研制的DC-SQUID器件的磁场分辨率最好达到100fT/Hz1/2,居当时国内领先水平,并在国内首先开展SQUID无损探伤的研究。 发表学术论文80余篇。主要论文被SCI论文引用逾400次。

目前的研究课题及展望:

近几年来,承担和参加多项国家科技部“973”、“863”、基金委和科学院项目。“十五”期间是“973”项目《超导科学技术》的首席科学家助理,《高温超导薄膜的材料科学研究》课题负责人。国家“863计划”《大面积超导薄膜》和《高温超导量子干涉器件》课题主要参加人。 目前正在进行的研究项目有: (1)超导“973”课题《超导介观系统量子现象及应用基础研究》 负责人 (2)基金委项目《超导氧化物薄膜中人工纳米结构的制备和物理性质研究》负责人 (3)超导和其它氧化物薄膜的生长和物理性质 (4)主要参加基金委重点课题《固态超导量子计算的实验和理论》 (5)科技部“863”课题《基于高温超导量子干涉仪的超低场核磁共振及成像技术》

培养研究生情况:

毕业博士生6名,硕士生6名(联合培养),在读博士研究生5名。

电话:

010-82649187

Email:

dzheng@iphy.ac.cn