鲍丽宏

简介


1979年出生于山西省,1999年考入南京大学物理系,2003年获本科学位。同年进入中国科学院物理研究所学习,2008年获得博士学位。博士毕业后先后在美国南卡罗莱纳大学、爱荷华州立大学从事博士后研究。2013年9月加入中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室,现任副研究员,博士生导师。期间曾在美国布朗大学、普渡大学从事访问研究。2015年入选中国科学院青年创新促进会,并于2019年获得优秀会员基金支持。

主要研究方向


主要从事低维纳米体系的构筑、物性及电子器件研究:

1. 低维材料的电子输运规律与微观结构的关联;

2. 低维磁性、超导、拓扑材料的电子输运行为及其调控;

3. 面向未来信息科技应用的新型开关、存储等电子器件的构筑及其物理。 


过去的主要工作及获得的成果


1. 利用界面电荷转移的方法成功实现黑磷的电子掺杂,构筑了黑磷逻辑器件(Nano Lett. 16, 6870 (2016);利用具有原子级锐利界面特性的范德瓦尔斯异质结构筑了高性能逻辑、光电、存储器件 (Nano Res.13, 1127 (2020); Nano Lett. 20, 6666 (2020); Nat. Nanotechnol.  16, 882 (2021));

2. 利用超高真空四探针扫描隧道显微镜原位系统研究了石墨烯晶界、褶皱及各类“异质”缺陷的输运性质 (Nano Lett. 17, 5291 (2017)) ;

3. 首次在超薄VSe2单晶纳米片中观测到了弱反局域化效应,并证实了其准二维电子输运的特性 (Nano Lett. 19, 4551 (2019)) ; 在VTe2单晶纳米片中观测到了由痕量插层V原子导致的近藤效应(Nano Lett. 19, 8572 (2019));首次在1T-CrTe2单晶薄片中观测到长程铁磁序导致的反常霍尔效应 (Nat. Commun. 12, 809 (2021))。 

 


代表性论文及专利


1. L. M. Wu#, A. W. Wang#, J. A. Shi#, J. H. Yan#, Z. Zhou, C. Bian, J. J. Ma, R. S. Ma, H. T. Liu, J. C. Chen, Y. Huan, W. Zhou, L. H. Bao*, M. Ouyang, S. J. Pennycook, S. T. Pantelides, H. -J. Gao, "Atomically sharp interface enabled ultrahigh-speed non-volatile memory devices", Nat. Nanotechnol. 16, 882 (2021).



2. L. J. Meng#, Z. Zhou#, M. Q. Xu#, S. Q. Yang#, K. P. Si, L. X. Liu, X. G. Wang, H. N. Jiang, B. X. Li, P. X. Qin, P. Zhang, J. L. Wang, Z. Q. Liu, P. Z. Tang, Y. Ye*, W. Zhou*, L. H. Bao*, H. –J. Gao, Y. J. Gong*, “Anomalous thickness dependence of Cuire temperature in air-stable two-dimensional ferromagnetic 1T-CrTe2 grown by chemical vapor deposition”, Nat. Commun. 12, 809 (2021) .



3. L. Liu, L. M. Wu, A. W. Wang, H. T. Liu, R. S. Ma, K. Wu, J. C. Chen, Z. Zhou, Y. Tian, H. T. Yang, C. M. Shen, L. H. Bao*, Z. H. Qin*, S. T. Pantelides, H. –J. Gao, “Ferroelectric-gated InSe photodetectors with high on/off ratios and photoresponsivity”, Nano Lett. 20, 6666-6673 (2020).



4. H. Guo#, X. Y. Wang#, L. Huang#, X. Jin, Z. Z. Yang, Z. Zhou, H. Hu, Y. –Y. Zhang, H. L. Lu, Q. H. Zhang, C. M. Shen, X. Lin, L. Gu, Q. Dai, L. H. Bao*, S. X. Du*, W. Hofer, S. T. Pantelides, H. –J. Gao*, “Insulating SiO2 under centimeter-scale, single-crystal graphene enables electronic-device fabrication”, Nano Lett. 20,  8584-8591 (2020).



5. L. M. Wu, J. A. Shi, Z. Zhou, J. H. Yan, A. W. Wang, C. Bian, J. J. Ma, R. S. Ma, H. T. Liu, J. C. Chen, Y. Huang, W. Zhou*, L. H. Bao*, M. Ouyang, S. T. Pantelides, H. –J. Gao, “InSe/hBN/graphite heterostructure for high-performance 2D electronics and flexible electronics”, Nano Res. 13, 1127-1132 (2020).



6. Y. Huang#, Y. H. Pan#, R. Yang#, L. H. Bao, L. Meng, H. L. Luo, Y. Q. Cai, G. D. Liu, W. J. Zhao, Z. Zhou, L. M. Wu, Z. L. Zhu, M. Huang, L. W. Liu, L. Liu, P. Cheng, K. H. Wu, S. B. Tian, C. Z. Gu, Y. G. Shi, Y. F. Guo, Z. G. Cheng, J. P. Hu, L. Zhao, G. H. Yang, E. Sutter, P. Sutter*, Y. L. Wang, W. Ji*, X. J. Zhou, H. –J. Gao*, “Universal mechanical exfoliation of large-area 2D crystals”, Nat. Commun. 11 2453 (2020) .



7. H. T. Liu, Y. Z. Xue, J. A. Shi, Roger A. Guzman, P. P. Zhang, Z. Zhou, Y. G. He, C. Bian, L. M. Wu, R. S. Ma, J. C. Chen, J. H. Yan, H. T. Yang, C. M. Shen, W. Zhou, L. H. Bao*, and H.-J. Gao, “Observation of the Kondo Effect in Multilayer Sing-Crystalline VTe2 Nanoplates”, Nano Lett. 19, 8572-8590 (2019).



8. H. T. Liu,# L. H. Bao,#, * Z. Zhou, B. Y. Che, R. Z. Zhang, C. Bian, R. S. Ma, L. M. Wu, H. F. Yang, J. J. Li, C. Z. Gu, C. M. Shen, S. X. Du, and H.-J. Gao, “Quasi-2D Transport and Weak Antilocalization Effect in Few-Layered VSe2”, Nano Lett. 19, 4551-4559 (2019).



9. G. Li, L. Z. Zhang,W. Y. Xu, J. B. Pan, S. R. Song, Y. Zhang, H. T. Zhou, Y. L. Wang, L. H. Bao, Y.-Y.Zhang, S. X. Du, M. Ouyang, S. T. Pantelides, and H.-J. Gao “Stable Silicene in Graphene/Silicene Van der Waals Heterostructures”, Adv. Mater. 30, 1804650 (2018).



10. R. S. Ma, Q. Huan, L. M. Wu, J. H. Yan, W. Guo, Y. -Y. Zhang, S. Wang, L. H. Bao*, Y. Q. Liu, S. X. Du, S. T. Pantelides,  and H. -J. Gao*, “Direct measurement of grain boundary resistivity and mobility in millimeter-sized grapheneNano Lett. 17, 5291-5296 (2017).



11. G. C. Wang#, L. H. Bao#, T. F. Pei, R. S. Ma, Y. -Y. Zhang, L. L. Sun, G. Y. Zhang, H. F. Yang, J. J. Li, C. Z. Gu, S. T. Pantelides*, R. D. Schrimpf, S. X. Du, and H. -J. Gao*, “Introduction of Interfacial Charges to Black Phosphorus for a Family of Planar Devices”, Nano Lett. 16, 6870-6878 (2016).



12. T. F. Pei, L. H. Bao*, R. S. Ma, S. R. Song, B. H. Ge, L. M. Wu, Z. Zhou, G. C. Wang, H. F. Yang, J. J. Li, C. Z. Gu, C. M. Shen, S. X. Du, and H.-J. Gao*, “Epitaxial of Ultrathin SnSe Crystal on Polydimethylsiloxane: In-plan Electrical Anisotropy and Gate-tunable Thermopower”, Adv. Electronic Mater., 1600292 (2016).



13. T. F. Pei, L. H. Bao*, G. C. Wang, R. S. Ma, H. F. Yang, J. J. Li, C. Z. Gu, S. T. Pantelides, S. X. Du, and H.-J. Gao, “Few-layer SnSe2 Transistors with high on/off ratios”, Appl. Phys. Lett. 108, 053506 (2016).


目前的研究课题及展望


目前正在进行的研究项目有:国家重点研发计划纳米科技专项和量子调控专项各1项,中国科学院战略性B类先导项目1项,中国科学院青年创新促进会优秀会员基金等。


培养研究生情况


已协助培养4名博士生,每年拟招收1-2名硕博连读生。

电话:

010-82649082

Email

lhbao@iphy.ac.cn