任治安 简介
简介:
男,1999年中国科学技术大学本科毕业,2004年中国科学院物理研究所获博士学位。2005年到日本Aoyama-Gakuin Univ.做COE博士后研究。2007年回国工作,入选中科院百人计划,研究员,博士生导师。

主要研究方向:
新型超导材料以至室温超导体的探索研究。

过去的主要工作及获得的成果:
长期坚持新超导材料探索研究。发现硼掺杂碳化硅新超导体(B-doped SiC),发现氟掺杂的镨系、钕系铁基高温超导体(PrFeAsO1-xFx、NdFeAsO1-xFx)并首次将铁基的Tc提高到50K以上,发现氧缺位诱发的十种新铁基超导体RFeAsO1-x(稀土元素R 为 La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Y),创造了铁基高温超导中55K的最高Tc世界记录等。发表科研论文100多篇,SCI统计引用次数5000 多次(有6 篇第一/通讯作者论文引用过百次,最高单篇引用1200多次)。多次在重要国际学术会议上作大会报告、特邀报告。获得2008年物理所“科技新人奖”、2009年中国科学院“卢嘉锡青年人才奖”、2009年求是基金会“求是杰出科技成就集体奖”,中国科学院青年创新促进会优秀会员。担任New Journal of Physics关于铁基超导特刊的客座编辑、《科学通报》编委等。 

已发现的超导材料如下:
发现硼掺杂碳化硅新超导体(B-doped SiC),Tc ~ 1.4 K 。
发现新型铁基超导体PrFeAsO1-xFx,Tc ~ 52 K,是第一个Tc 高于50 K的铁基超导体。
发现新型铁基超导体NdFeAsO1-xFx,Tc ~ 52 K。
制备出起始Tc ~ 55 K,零电阻54 K 的铁基超导体SmFeAsO1-xFx,是铁基块体中最高Tc
发现10种无F掺杂的、氧缺位诱导的新型铁基超导体RFeAsO1-x(稀土元素R 为 La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Y等),最高Tc ~ 55 K,是首次获得氧缺位铁基超导体。
发现Ru系的 LaRu2As2 超导体, Tc ~ 7.8 K,是此结构中非铁基的最高Tc
发现铁基CaFe2As2非掺杂母体单晶淬火后超导,Tc ~ 25 K。
发现Pd系的 BaPd2As2 超导体, Tc ~ 3.8 K。
发现Ir系的BaIr2As2 超导体, Tc ~ 2.8 K。
发现Co2P型的ScRuSi 超导体,Tc ~ 3.1 K。
发现112型新铁砷化合物EuFeAs2,是第一个112 型的铁基母体,通过Eu位掺La实现超导,Tc ~ 11 K。
发现首个133型Cr系超导体KCr3As3,空气中稳定,Tc ~ 5 K。

 

目前的研究课题及展望:
新型高温超导材料探索研究。973量子调控“新型超导材料和量子态的探索”课题负责人,“百人计划”人才启动计划等等。

培养研究生情况:
在读研究生6名,拟每年招收学生2-3人。科学探索基于兴趣,欢迎对相关研究方向有浓厚兴趣的并有志于长期从事科研工作的物理、化学、材料系等专业的本科生联系报考。

电话:
010-82649257

Email:
renzhian@iphy.ac.cn

  网页维护